Epitaksiālas Ga2O3 plānas kārtiņas kā platzonas topoloģiski caurspīdīgi elektrodi ultravioletai optoelektronikai

Sākums  01/2021 Noslēgums 12/2023

Projekta numurs

lzp-2020/1-0345

Finansējums

300000 EUR

Projekta vadītājs

Juris Purāns

purans@cfi.lu.lv

Projektu īsteno

Latvijas Universitātes Cietvielu fizikas institūts

Zinātnes nozare

Dabaszinātņu nozare

Kopsavilkums

Ņemot vērā lielo pieprasījumu pēc caurspīdīgiem elektrovadošiem pārklājumiem, šajā fundamentālajā projektā tiks pētīta topoloģiska elektrovadītspēja Ga2O3 plānās kārtiņās, kas audzētas ar MOCVD uz dažādas orientācijas (t.sk. ārpus asu) safīra pamatnēm, un kuras varētu pielietot kā caurspīdīgus elektrodus ultravioletās optoelektronikas ierīcēs. Projekta galvenais rezultāts būs padziļināta fizikāla izpratne par safīra pamatnes kristalogrāfiskās orientācijas ietekmi uz topoloģisko metālisko vadāmību β–Ga2O3 plānās kārtiņās. Zināšanas par kārtiņas un pamatnes epitaksiālajām sakarībām kopā ar modernām plānu kārtiņu raksturošanas metodēm var palīdzēt skaidrot virsmas vadītspējas mehānismu.

Ir būtiski šādas īpatnējas vadītspējas izcelsmi pētīt padziļināti, jo tā izaicina mūsu pašreizējo izpratni un veidus, kā iegūt caurspīdīgus elektrodus no platzonas izolatoriem. Projektā plānotās darbības ietver MOCVD procesa izveidi, lai audzētu epitaksiālas monokristāliskas β–Ga2O3 plānas kārtiņas, izaudzēto plāno kārtiņu elektrisko īpašību izpēti kopā ar to padziļinātu strukturālu, sastāva un optisko raksturošanu, izmantojot tradicionālās un modernas sinhrotrona metodes, galveno uzmanību pievēršot virsmas īpašībām un iespējamu piejaukumu leģēšanu, kā arī liela mēroga teorētiskus aprēķinus, lai noskaidrotu iespējamos virsmas elektrovadītspējas mehānismus.

Projektu konkurss

Fundamentālo un lietišķo pētījumi projektu 2020. gada konkurss

X